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- 型号： MMFZ6V8T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ6V8T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ6V8T1G价格参考。ON SemiconductorMMFZ6V8T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ6V8T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ6V8T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ6V8T1G是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为6.8V（容差通常±5%），功率额定值为200mW，采用SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗电路（如传感器接口、ADC参考源、微控制器复位电路）提供稳定基准电压； 2. 过压保护（TVS辅助）：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态过压（如ESD、感应浪涌），保护后级IC（如I/O端口、通信线路）； 3. 电源轨箝位：在3.3V/5V系统中用于限制异常电压尖峰，防止器件损坏； 4. 反馈环路稳压：在DC-DC转换器或LDO的反馈分压网络中提供精确稳压点； 5. 信号电平限制：在模拟前端或音频电路中限制输入信号幅值，防止饱和或失真。 该器件具有低泄漏电流（典型值<1µA @ 4.8V）、快速响应（纳秒级）及高可靠性，适用于消费电子、工业控制、汽车电子（符合AEC-Q101）及通信设备等场景。需注意：实际使用时应串联限流电阻以确保工作电流在齐纳区（通常5–20mA），并校核功耗与温升。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ6V8T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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