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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5256C-HE3-18
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5256C-HE3-18由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5256C-HE3-18价格参考。VishayMMBZ5256C-HE3-18封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5256C-HE3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5256C-HE3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5256C-HE3-18 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为 39 V（容差 ±5%），功率为 300 mW，采用 SOT-23 封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器接口中，为ADC参考源、运放偏置或微控制器复位电路提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、通信接口芯片）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害； 3. 电源轨钳位：在3.3V/5V系统中虽非主稳压器件，但可作为辅助钳位元件，抑制电源线上的尖峰干扰； 4. 反馈回路中的稳压元件：在DC-DC转换器（如反激式辅助绕组反馈）或LDO外围电路中，参与电压采样与误差检测； 5. 工业与汽车电子：凭借AEC-Q200认证（该型号符合车规级可靠性要求），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对温度稳定性（-55°C ~ +150°C）和长期可靠性要求较高的场景。 注意：该器件为单齐纳结构，不可用于双向ESD防护，需配合正向导通路径（如普通二极管）实现全向保护。实际应用中应校核功耗（P = Vz × Iz），避免超过额定功率，并确保动态阻抗满足精度需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5256C-HE3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |
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