【未分类_MMBZ5239BS-7-F】封装/厂家_MMBZ5239BS-7-F中文资料_价格

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型号： MMBZ5239BS-7-F
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5239BS-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5239BS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5239BS-7-F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBZ5239BS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5239BS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5239BS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双齐纳二极管阵列（SOT-363 封装），含两个独立、反向串联的齐纳二极管，标称齐纳电压为 9.1 V（±5%），功耗 200 mW/二极管。其典型应用场景包括：

1. 双向过压保护（TVS 功能）：利用反向串联结构，可对交流或双向信号（如通信接口、传感器输入）提供对称钳位，抑制正负向瞬态浪涌（如 ESD、EFT），常用于 USB、I²C、GPIO 等低压数字接口的静电防护。

2. 精密电压基准与偏置：在低功耗模拟电路中，用作低成本、小尺寸的双极性参考源或偏置点稳定元件，适用于传感器调理电路、ADC/DAC 参考分压网络等。

3. 箝位与限幅电路：在运算放大器输入端或信号链中实现输入电压限幅，防止后级器件因过压损坏；亦可用于波形整形（如方波削顶）。

4. 电源轨稳压与监控：在空间受限的便携设备（如 TWS 耳机、可穿戴设备）中，为辅助电源（如 3.3 V 或 5 V 域）提供简易稳压或欠压/过压指示（配合检测电路）。

该器件具备低漏电流（≤ 0.1 µA @ 7.3 V）、快速响应及 AEC-Q200 认证（符合汽车级可靠性），亦适用于车载信息娱乐系统中的低能量保护节点。其微型 SOT-363 封装特别适合高密度 PCB 设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER DUAL 9.1V SOT363
产品分类	二极管/齐纳阵列
品牌	Diodes Incorporated
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBZ5239BS-7-F
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	3µA @ 7V
产品目录绘图
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	SOT-363
其它名称	MMBZ5239BS-FDITR MMBZ5239BS7F
功率-最大值	200mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
容差	±5%
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
工作温度	-65°C ~ 150°C
标准包装	3,000
电压-齐纳（标称值）(Vz)	9.1V
配置	2 个独立式
阻抗（最大值）(Zzt)	10 欧姆