Datasheet下载- 型号： MMBZ5237BLT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5237BLT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5237BLT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5237BLT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5237BLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5237BLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5237BLT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为8.2 V（容差±5%），最大功率耗散为350 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定基准电压；常用于电源后级精细稳压或局部电压箝位。 2. 过压保护（TVS辅助）：虽非专用TVS器件，但可与电容/电阻配合，对敏感信号线（如I²C、UART接口）实施低成本瞬态过压箝位，抑制ESD或开关噪声（适用于<100 ns脉冲、低能量场景）。 3. 电平转换与偏置电路：在模拟前端中为运放提供偏置电压，或在逻辑电平适配电路中实现电平箝位（如将5 V信号安全接入3.3 V MCU输入端）。 4. 消费电子与便携设备：因SOT-23小尺寸、低功耗特性，广泛用于智能手机、TWS耳机、智能穿戴等空间受限设备中的电源管理与信号调理模块。 需注意：该器件属通用齐纳二极管，不适用于高精度或大电流稳压场合；设计时应校验功耗（P = Vz × Iz）、温度系数（±0.07%/°C）及动态阻抗（≈15 Ω），并确保工作电流在5–20 mA推荐范围内以维持稳压性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5237BLT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 6.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
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