| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5231B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5231B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5231B-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5231B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5231B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5231B-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为5.1 V(容差±5%),功率为300 mW,采用SOT-23封装。其典型应用场景包括: 1. 低功耗电压基准与稳压:适用于便携式设备(如蓝牙耳机、智能手环、传感器节点)中为MCU、ADC或运放提供低成本、小体积的参考电压源。 2. 过压保护(OVP)与ESD钳位:常与TVS或串联限流电阻配合,用于USB接口、I²C/SPI总线、按键输入等信号线的瞬态电压抑制和静电防护(IEC 61000-4-2 Level 2/3)。 3. 电源轨箝位与反馈调节:在LDO或DC-DC转换器的反馈网络中辅助设定输出电压;或在电池供电系统中防止反向电压或意外高压损坏后级电路。 4. 低成本模拟电路偏置:为小信号放大器、比较器提供稳定偏置点,尤其适用于对精度要求不高但强调尺寸与成本的消费类电子设计。 该器件具有快速响应、低动态阻抗(约17 Ω)和良好温度稳定性(TC ≈ +0.05%/°C),适合工作温度范围–65°C 至 +150°C 的工业及汽车级应用(符合AEC-Q200认证)。需注意:实际使用时应确保功耗不超过额定值,并建议添加限流电阻以控制齐纳电流(典型测试电流IZT=20 mA)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 350MW SOT23-3稳压二极管 5.1V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5231B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5231B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5231B-FDITR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 17 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.1V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5231B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 17 欧姆 |
| 齐纳电压 | 5.1 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |