【未分类_MMBZ5230BTS-7-F】封装/厂家_MMBZ5230BTS-7-F中文资料_价格

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型号： MMBZ5230BTS-7-F
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5230BTS-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5230BTS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5230BTS-7-F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBZ5230BTS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5230BTS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5230BTS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双路齐纳二极管阵列（SOT-23-3 封装），标称齐纳电压为 4.7 V（典型值），容差 ±5%，功耗 200 mW（每路）。其主要应用场景包括：

1. 电压钳位与过压保护：常用于 USB、I²C、GPIO 等低压数字接口，防止瞬态电压（如 ESD 或电源毛刺）损坏 MCU 或传感器；两路独立结构可同时保护两条信号线（如数据线 D+ 和 D−）。

2. 基准电压源：在低功耗、非精密场合（如电池供电设备中的简易电压检测或阈值比较）提供稳定参考电压，适用于对温漂和精度要求不高的电路。

3. 电源轨稳压/去耦辅助：配合 LDO 或 DC-DC 使用，在负载突变时吸收微小反向电流，提升局部电源稳定性（需注意其动态响应和功率限制，不可替代主稳压器）。

4. ESD 防护前端：符合 IEC 61000-4-2 Level 4（±8 kV 接触放电）基本防护能力，常作为二级 ESD 保护器件，置于 TVS 后级或直接用于板级接口防护。

该器件具备小尺寸、低成本、双通道集成优势，适合空间受限的便携式设备（如 TWS 耳机、智能穿戴、IoT 传感器节点等），但不适用于高精度、高功率或高温严苛环境。设计时需注意散热、最大齐纳电流（<~40 mA）及温度系数影响。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER TRIPLE 4.7V SOT363
产品分类	二极管/齐纳阵列
品牌	Diodes Incorporated
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBZ5230BTS-7-F
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	5µA @ 2V
供应商器件封装	SOT-363
功率-最大值	200mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
容差	±5%
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
工作温度	-65°C ~ 150°C
标准包装	3,000
电压-齐纳（标称值）(Vz)	4.7V
配置	3 个独立式
阻抗（最大值）(Zzt)	19 欧姆