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  • 型号: MMBZ5226B-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226B-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226B-7价格参考。Diodes Inc.MMBZ5226B-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5226B-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5226B-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5226B-7 是 Diodes Incorporated 推出的一款小信号齐纳二极管(单管),标称稳压值为3.3V(典型),容差±5%,最大功率耗散为350mW(SOT-23封装),反向击穿电流测试条件为14mA。其典型应用场景包括:

1. 低压电源稳压与电压基准:适用于3.3V系统(如MCU、传感器、LDO前级)中提供低成本、低功耗的参考电压或局部稳压,尤其在空间受限的便携设备中。

2. 过压保护(钳位/ESD防护):常与TVS或串联限流电阻配合,用于I/O端口、通信线路(如UART、I²C)的瞬态电压抑制和静电放电(ESD)钳位,将电压限制在安全范围(≤3.6V),保护后级IC。

3. 信号电平转换与限幅:在模拟/数字接口电路中,用于限制信号摆幅(如将5V信号安全接入3.3V逻辑输入),防止过压损坏。

4. 电源监控与复位电路:配合电阻分压及比较器,实现简单电压检测或上电复位(POR)功能。

5. 消费电子与工业控制板:广泛应用于智能手机周边、IoT模块、LED驱动、电机控制板等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场景。

注意:该器件非高精度基准源,不适用于需低温漂或高稳定性场合;设计时需校核功耗(P=Vz×Iz)并确保工作电流在5–20mA推荐范围内以维持稳定击穿特性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MMBZ5226B-7

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

25µA @ 1V

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

MMBZ5226B
MMBZ5226B7
MMBZ5226BCT
MMBZ5226BCT-ND
MMBZ5226BDICT

功率-最大值

350mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.3V

阻抗(最大值)(Zzt)

28 欧姆

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