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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5222B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5222B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5222B-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5222B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5222B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5222B-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为2.4 V(典型值),容差±5%,最大功率耗散为300 mW,采用SOT-23封装。其典型应用场景包括: 1. 低电压基准与稳压:适用于3.3 V或2.5 V以下低压系统中提供精密参考电压,如LDO稳压器反馈网络、ADC/DAC基准源辅助电路。 2. 过压保护与钳位:常用于IO接口(如GPIO、I²C、SPI信号线)的ESD防护和瞬态电压抑制,将异常高压钳位于2.4 V附近,防止后级MCU或传感器损坏。 3. 电源轨监控与复位电路:配合比较器构成简易上电复位(POR)或欠压检测电路,确保系统在电源稳定后可靠启动。 4. 便携式电子设备:因体积小、功耗低,广泛应用于智能手机、可穿戴设备、TWS耳机等对空间和功耗敏感的产品中,用于电池电压监测或信号电平转换保护。 5. 工业与汽车电子辅助电路:在车载信息娱乐系统或工业传感器模块中,作为低成本、高可靠性的电压箝位元件(需注意其AEC-Q200认证状态——该型号非车规级,仅适用于非安全关键的二级电路)。 需注意:该器件为通用级产品,不适用于高精度(<1%)或高温(>125℃)严苛环境;设计时应校核功耗(P = Vz × Iz),避免超过额定功率,并建议串联限流电阻以保障稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.5V 350MW SOT23-3稳压二极管 350MW 2.5V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5222B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5222B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 30 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 2.5V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5222B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 30 欧姆 |
| 齐纳电压 | 2.5 V |