Datasheet下载- 型号： MMBT2907AWT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2907AWT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2907AWT1G价格参考￥0.13-￥0.20。ON SemiconductorMMBT2907AWT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT2907AWT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT2907AWT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT2907AWT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款表面贴装NPN双极结型晶体管（BJT），常用于中等电流和开关应用。该器件广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。典型应用场景包括：作为开关驱动LED、继电器、小型电机或其他负载；在放大电路中用于信号调理或音频前置放大；以及在电源管理电路中实现电压电平转换或作为达林顿对的组成部分。其高增益和快速开关特性使其适用于便携式设备中的低功耗控制电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，该晶体管也常用于各类接口电路中，实现逻辑信号的驱动与隔离。由于采用SOT-23小封装，适合空间受限的高密度PCB设计。总体而言，MMBT2907AWT1G是一款通用型高频、低噪声晶体管，适用于需要可靠性和小型化的中低功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS GP SS PNP 60V SOT323两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT2907AWT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT2907AWT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.6V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MMBT2907AWT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
| 系列 | MMBT2907AW |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 4 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 1.6 V |
| 集电极连续电流 | - 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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