ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJF44H11G
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MJF44H11G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJF44H11G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJF44H11G价格参考。ON SemiconductorMJF44H11G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 10A 50MHz 2W 通孔 TO-220FP。您可以下载MJF44H11G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJF44H11G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJF44H11G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT)。该晶体管主要用于功率放大和开关应用,具有良好的热稳定性和高电流承载能力。 应用场景包括: 1. 音频功率放大器:适用于音响系统、功放设备等需要高保真音频放大的场合。 2. 电源开关电路:用于DC-DC转换器、电源管理系统中的开关元件。 3. 电机驱动电路:在小型电机或步进电机的驱动控制中作为功率开关使用。 4. 工业控制系统:如PLC、继电器驱动、传感器信号放大等工业自动化相关应用。 5. 消费类电子产品:如电视、音响、充电器等产品中的电源与信号处理部分。 该晶体管采用SMD封装,适合表面贴装工艺,适用于自动化生产。其优良的性能使其在中高功率电子设备中有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS POWER NPN 10A 80V TO220FP两极晶体管 - BJT 10A 80V 50W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJF44H11G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJF44H11G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | MJF44H11GOS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 36 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MJF44H11 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |