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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2SA1416S-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1416S-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1416S-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SA1416S-TD-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA1416S-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1416S-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA1416S-TD-E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件常用于模拟与数字电路中的信号放大、电流开关及电源控制等场景。 典型应用场景包括：音频放大器的前置或驱动级，用于小信号处理；各类消费类电子产品如电视、音响、电源适配器中的开关电路；工业控制设备中的继电器驱动、电机控制模块；以及电源管理电路中作为稳压器或负载开关使用。由于其具备良好的增益特性和可靠性，也适用于需要稳定性能的家用电器和通信设备。 该型号采用小型化封装（如SOT-23或类似），适合高密度印刷电路板设计，广泛应用于空间受限但要求性能稳定的场合。同时，其符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子制造的环保要求。 综上，2SA1416S-TD-E是一款适用于中低频信号放大与开关控制的通用型BJT，常见于消费电子、工业控制和家电产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 1A 100V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SA1416S-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA1416S-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 40mA，400mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | PCP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1.3 W |
| 最大直流电集电极电流 | - 2 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 280 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 140 |
| 系列 | 2SA1416 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.2 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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