Datasheet下载- 型号： MMBT4403M3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4403M3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4403M3T5G价格参考￥0.21-￥0.22。ON SemiconductorMMBT4403M3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT4403M3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT4403M3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT4403M3T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款表面贴装NPN型双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。其典型应用场景包括： 1. 开关电路：广泛用于电源管理、LED驱动、继电器控制等低功耗开关应用，因其具备较高的电流增益和快速开关响应能力。 2. 信号放大：适用于音频信号、传感器信号等小信号放大电路，常见于消费类电子产品如手机、平板、可穿戴设备中。 3. 逻辑驱动与电平转换：在数字电路中作为接口器件，实现微控制器与外围设备之间的信号驱动或电压电平转换。 4. 便携式设备：由于采用SOT-23封装，体积小、功耗低，特别适合空间受限的便携式电子设备，如智能家居模块、无线通信模块等。 5. 工业控制与汽车电子：该器件符合AEC-Q101车规认证，具备良好可靠性和温度稳定性（工作温度可达-55°C至+150°C），可用于汽车传感器、车身控制模块、车载照明等场景。 MMBT4403M3T5G具有高集电极电流（最大可达600mA）、高电压耐受（VCEO=40V）和低饱和压降等特点，性价比高，是中小功率模拟与数字电路中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP SW 40V 600MA SOT-723两极晶体管 - BJT SOT-723 GP PNP TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT4403M3T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT4403M3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 750mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 功率-最大值 | 265mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 640 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 30 at 0.1 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 at 0.1 mA at 1 V, 60 at 1 mA at 1 V, 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 150 mA at 2 V, 20 at 500 mA at 2 V |
| 系列 | MMBT4403M3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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