Datasheet下载- 型号： BUJ103AX,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUJ103AX,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUJ103AX,127价格参考。NXP SemiconductorsBUJ103AX,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUJ103AX,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUJ103AX,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
WeEn Semiconductors的BUJ103AX,127是一款双极结型晶体管（BJT），属于NPN型功率晶体管。该器件常用于需要高电流和高电压处理能力的电路中。 其典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：BUJ103AX可用于开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件，适用于需要较高电流承载能力的场合。 2. 电机驱动电路：在直流电机控制或继电器驱动电路中，该晶体管可作为功率放大元件，用于控制电机的启停或方向。 3. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化系统中，作为功率输出级的驱动器件。 4. 音频放大器：在低频功率放大电路中，BUJ103AX可用作输出晶体管，用于放大音频信号并驱动扬声器。 5. 电池充电器：在高电流充电电路中作为调节元件，控制充电电流的通断与调节。 由于其具备较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）和较大的集电极电流（IC）能力，BUJ103AX,127适用于中高功率的通用开关与放大应用，尤其适合工作在较高温度环境下的工业级应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 400V 4A TO-220F两极晶体管 - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BUJ103AX,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUJ103AX,127 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 600mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 12 @ 500mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 934055159127 |
| 功率-最大值 | 26W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 700 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 封装/箱体 | SOT-186A |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 26 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | - |
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