Datasheet下载- 型号： 2N5088G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5088G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5088G价格参考。ON Semiconductor2N5088G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5088G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5088G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5088G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号广泛应用于低功率信号放大和开关电路中，以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - 音频设备：2N5088G 常用于音频信号的预放大阶段，例如麦克风信号放大或耳机驱动电路。由于其具有较高的电流增益（β值通常在300-700之间），适合处理小信号的放大任务。 - 传感器信号处理：可用于将来自传感器（如温度、压力或光敏传感器）的微弱信号放大到可被后续电路处理的水平。 2. 开关应用 - 逻辑电平转换：在需要将低电压信号转换为高电压信号的场景中，2N5088G 可作为开关元件使用。 - 继电器驱动：通过控制基极电流，2N5088G 能够驱动小型继电器线圈，从而实现对更高负载的控制。 - LED 驱动：在需要驱动多个 LED 或大功率 LED 的情况下，可以用 2N5088G 来实现电流放大。 3. 振荡器与定时电路 - 多谐振荡器：2N5088G 可用作多谐振荡器的核心元件，生成方波信号，适用于时钟信号生成或脉冲发生器。 - 定时电路：结合电阻和电容，2N5088G 可以构建简单的定时电路，用于延时启动或其他时间控制功能。 4. 无线通信与射频领域 - 低频调制与解调：尽管 2N5088G 不是专为高频设计的晶体管，但在一些低频无线通信系统中，它仍可以用于调制或解调电路。 - 混频器与检波器：在简单的 AM 收音机等设备中，2N5088G 可以用作混频器或检波器的一部分。 5. 教育与实验用途 - 由于 2N5088G 的参数典型且易于获取，它常被用于教学实验和电子爱好者的项目中，帮助学习者理解 BJT 的基本工作原理和实际应用。 注意事项 在使用 2N5088G 时，需注意其最大额定参数（如集电极-发射极电压 Vce = 40V，集电极电流 Ic = 600mA）以及工作频率限制（fT 约为 300MHz），确保电路设计在其安全工作区内运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN GP SS 50MA 30V TO92两极晶体管 - BJT 50mA 35V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5088G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5088G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 100µA， 5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 2N5088GOS |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 625 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 系列 | 2N5088 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 35 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.05 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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