ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJD32T4G
Datasheet下载- 型号： MJD32T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MJD32T4G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD32T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD32T4G价格参考。ON SemiconductorMJD32T4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 3A 3MHz 1.56W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD32T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD32T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD32T4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于功率放大和开关应用的通用器件。该型号采用TO-92封装，具有较高的电流承载能力（最大集电极电流达500mA），最高耐压为30V，适用于中低功率场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：常用于数字控制信号驱动继电器、LED、小型电机等负载的通断控制，因其响应速度快、驱动能力强，适合微控制器与执行器件之间的接口驱动。 2. 信号放大：在音频设备或传感器信号调理电路中作为前置放大器，对微弱模拟信号进行线性放大。 3. 电源管理：在DC-DC转换器、稳压电路中作为调整元件或辅助开关使用。 4. 消费类电子产品：广泛应用于家用电器（如电视、遥控器）、充电器、照明控制模块等对成本和可靠性要求较高的场合。 MJD32T4G还具备良好的热稳定性和可靠性，并通过了无铅环保认证（后缀“G”表示符合RoHS标准），适合工业环境及批量生产使用。其性价比高、通用性强，是中小功率电子系统中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS POWER PNP 3A 40V DPAK两极晶体管 - BJT 3A 40V 15W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD32T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD32T4G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.2V @ 375mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 3A，4V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD32T4GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1.56 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | MJD32 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
