Datasheet下载- 型号： MPSW42G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPSW42G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSW42G价格参考。ON SemiconductorMPSW42G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPSW42G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPSW42G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPSW42G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于通用开关和放大电路中。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理和开关电路：MPSW42G适用于低功率开关应用，如DC-DC转换器、负载开关以及继电器驱动电路，能有效控制电流流动。 2. 信号放大：该晶体管可用于音频或射频小信号放大电路，适合前级放大或缓冲级使用。 3. 数字逻辑电路：在需要电平转换或驱动LED、小型电机等负载的数字电路中，MPSW42G可作为驱动晶体管使用。 4. 工业控制与自动化设备：由于其稳定性和耐用性，该器件也广泛应用于工业控制系统中的传感器接口或执行器驱动电路。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、充电器等设备中，用于实现基本的电子开关或信号处理功能。 综上，MPSW42G因其良好的性价比和通用性，被广泛应用于多种电子系统中，尤其适合中低功率场合下的开关与放大用途。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 1W 300V TO-92两极晶体管 - BJT 500mA 300V 1W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MPSW42G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MPSW42G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 30mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 其它名称 | MPSW42G-ND |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | MPSW42 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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