【未分类_MDE6IC7120GNR1】封装/厂家_MDE6IC7120GNR1中文资料_价格

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型号： MDE6IC7120GNR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MDE6IC7120GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MDE6IC7120GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMDE6IC7120GNR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MDE6IC7120GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MDE6IC7120GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MDE6IC7120GNR1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频功率放大器（RF Power Amplifier），采用 GaN-on-SiC（氮化镓/碳化硅）工艺，工作频率范围为 700–2200 MHz，典型输出功率达 120 W（脉冲或连续波模式），适用于高效率、高线性度的宽带射频应用。其主要应用场景包括：  
- 5G宏基站与大规模MIMO系统：作为Sub-6 GHz频段（如n1/n3/n7/n41/n78等）末级功放，支持高带宽、高吞吐量通信；  
- 无线基础设施中的远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）：凭借高功率密度与优异热稳定性，满足紧凑型基站对散热与能效的严苛要求；  
- TDD/FDD多模基站发射链路：集成高增益（>18 dB）、高PAE（峰值效率＞65%），适配复杂调制信号（如256-QAM、OFDM）；  
- 军用与航空通信、公共安全宽带专网（如TETRA、P25、LTE-based FirstNet）：具备高可靠性、宽温度工作范围（–40°C 至 +105°C）及抗干扰能力。  
该器件需配合匹配电路与驱动级使用，常搭配NXP的MRFE6VP61K25H等驱动放大器构成完整射频链路。注意：实际部署需遵循FCC/CE等射频合规要求，并进行系统级热管理与线性化（如DPD）设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	射频/IF 和 RFID
描述	IC PWR AMP W-CDMA RF TO-270 GW
产品分类	RF 放大器
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
P1dB	50.8dBm（120W）
产品型号	MDE6IC7120GNR1
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm
RF类型	W-CDMA
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270 WBL-16 鸥翼型
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	34.4dB
封装/外壳	TO-270-16 变型，鸥翼
标准包装	500
测试频率	-
电压-电源	28V
电流-电源	-
频率	728MHz ~ 768MHz