Datasheet下载- 型号： JAN1N6109
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6109由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6109价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6109封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JAN1N6109参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JAN1N6109 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JAN1N6109 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下子公司）生产的一款瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于电路中的过电压保护。 应用场景包括： 1. 航空航天与军工设备：由于该型号具有高可靠性和稳定性，广泛应用于对可靠性要求极高的航空航天和军事电子系统中，用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、雷击浪涌等瞬态电压的损害。 2. 通信设备：在通信基站、交换设备及光模块中，JAN1N6109可用于保护接口电路（如RS-485、以太网等）免受外部电磁干扰或雷击引起的电压突变影响。 3. 工业控制系统：在PLC、工控机及其他自动化设备中，该器件可有效防止因开关切换、电机启停等原因产生的瞬态电压对系统造成干扰或损坏。 4. 电源管理系统：适用于各类直流电源输入端口的瞬态电压抑制，保障后级电路安全运行。 5. 汽车电子：在车载电子系统中，如车载导航、电池管理系统（BMS）等，用于防护因负载突变或静电引起的电压尖峰。 综上，JAN1N6109作为一款高性能TVS二极管，主要应用于对稳定性和可靠性要求较高的高端领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127891-lds-0277 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6109 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | 1086-2153 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | B， 轴向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 11.73V |
| 电压-反向关态（典型值） | 9.9V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.11V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 26.13A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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