Datasheet下载- 型号： MR4A16BCYS35
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR4A16BCYS35由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR4A16BCYS35价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR4A16BCYS35封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 35ns 54-TSOP2。您可以下载MR4A16BCYS35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR4A16BCYS35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies Inc. 的 MR4A16BCYS35 是一款16Mb（2MB）的串行四通道SPI接口磁阻随机存取存储器（MRAM），属于非易失性存储器。其主要应用场景包括工业自动化、嵌入式系统、网络通信设备和高可靠性数据存储领域。 该型号具备高速读写、无限次写入耐久性和断电后数据长期保存的特性，适用于需要频繁写入且对数据完整性要求高的环境。例如，在工业PLC（可编程逻辑控制器）中用于实时保存运行参数和事件日志；在通信基站或路由器中作为配置存储器，确保系统重启后配置不丢失；在医疗设备和轨道交通控制系统中，用于记录关键操作数据，保障安全可靠。 此外，MR4A16BCYS35支持-40°C至+85°C工业级工作温度，适合恶劣环境使用。其35ns的快速访问速度和低功耗特性也使其适用于便携式仪器和边缘计算设备中的缓存或程序存储。由于无需后备电池即可实现非易失存储，相比传统SRAM+电池方案更环保、维护成本更低。 综上，MR4A16BCYS35广泛应用于对数据持久性、写入速度和系统可靠性有严苛要求的工业与嵌入式场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MRAM 16MBIT 35NS 54TSOPNVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Everspin Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Everspin Technologies MR4A16BCYS35- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MR4A16BCYS35 |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP2 |
| 其它名称 | 819-1017 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Everspin Technologies |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 16 Mbit |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-54 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作电流 | 110 mA |
| 工厂包装数量 | 108 |
| 接口 | 并联 |
| 接口类型 | Parallel |
| 数据总线宽度 | 16 bit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 108 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 系列 | MR4A16B |
| 组织 | 1 M x 16 |
| 访问时间 | 35 ns |
| 速度 | 35ns |
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