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  • 型号: ISL9N304AS3ST
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N304AS3ST由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N304AS3ST价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N304AS3ST封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ISL9N304AS3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ISL9N304AS3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ISL9N304AS3ST 是由 Fairchild Semiconductor(现属onsemi)推出的单通道 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 4.5Ω @ Vgs=10V)、低栅极电荷(Qg≈5.5nC)及快速开关特性。其额定电压为30V,连续漏极电流ID为4.4A(Tc=25°C),适合中低压、中小功率场景。

典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB端口过流保护;  
✅ DC-DC转换器次级侧同步整流:在降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)拓扑中提升效率(尤其在12V/5V转3.3V/1.8V等低压输出场合);  
✅ 电池供电系统保护电路:配合充电管理IC实现电池充放电路径控制、反向电流阻断及短路保护;  
✅ 小型电机驱动与LED驱动:用于微型风扇、振动马达或RGB LED恒流调光的低端开关;  
✅ 工业与IoT传感器节点:在空间受限的嵌入式模块中实现低功耗、高可靠性的信号切换或电源使能控制。

该器件具备ESD保护(HBM >2kV),SOT-23封装便于高密度贴装,且热性能适配无散热片的小电流工况,但不适用于大电流连续导通或高压(>30V)环境。设计时需注意栅极驱动电压匹配(推荐Vgs=4.5–10V)及PCB散热走线优化。
产品参数 图文手册 常见问题
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