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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS64WV51216BLL-10MA3是一款高性能的异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为512K x 16位,访问时间为10纳秒,适用于对速度和稳定性要求较高的场景。 该芯片主要应用于以下领域: 1. 通信设备:如路由器、交换机和基站等,用于高速缓存数据或临时存储转发信息,保障数据传输的实时性和稳定性。 2. 工业控制与自动化系统:在PLC、工业计算机及嵌入式控制系统中作为快速存储单元,用于存放关键运行参数或程序代码。 3. 网络设备:在网络处理器或防火墙中用作缓冲存储器,提升数据包处理效率。 4. 汽车电子:应用于车载导航、ADAS(高级驾驶辅助系统)等模块,满足高温环境下对高可靠性和快速响应的需求。 5. 测试测量仪器:用于示波器、逻辑分析仪等高端仪器中,支持高速信号采集与暂存。 该SRAM采用低功耗CMOS工艺,具备宽温范围和高可靠性,适合工业级应用。其异步接口设计简化了与主控芯片的连接,广泛适用于需要快速随机访问的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS64WV51216BLL-10MA3 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 48-迷你型BGA(9x11) |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 8M(512K x 16) |
封装/外壳 | 48-TFBGA |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 220 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
速度 | 10ns |