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产品简介:
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IS61NLP25636A-200B3LI是ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)推出的一款高速、低功耗静态随机存取存储器(SRAM),属于其高性能同步突发SRAM产品线。该型号为256K × 36位的ZBT(Zero Bus Turnaround)SRAM,工作频率可达200MHz,采用BGA封装,支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),具备高可靠性和稳定性。 该器件主要应用于对数据吞吐率和实时性要求较高的场景。典型应用包括:通信基础设施中的网络交换机和路由器,用于高速数据包缓冲和转发;电信设备中的基站处理单元和传输系统;工业自动化控制系统中的实时数据采集与处理模块;以及测试测量仪器中的高速缓存单元。此外,因其低功耗特性,也适用于便携式或散热受限的嵌入式系统。 IS61NLP25636A-200B3LI支持无总线回转技术,可在读写操作间无缝切换,避免总线空闲周期,提升系统效率,特别适合需要频繁切换读写操作的场合。其高带宽和低延迟特性使其成为替代异步SRAM的理想选择,广泛服务于中高端嵌入式系统和专业电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IS61NLP25636A-200B3LI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-TFBGA (13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 9M(256K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 144 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 速度 | 200MHz |