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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS42S16800E-75EBL是一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),主要应用于需要高性能和低延迟存储解决方案的场景。该型号具有16位数据宽度、容量为8MB(512K x 16),访问时间仅为7.5ns,支持高速数据读写操作。 典型应用场景包括: 1. 网络设备:如路由器、交换机等,用于高速缓存转发表、数据包缓冲等,确保数据快速处理和转发。 2. 工业控制:在PLC、工业计算机等设备中作为高速缓存或临时数据存储,提升系统响应速度和稳定性。 3. 通信设备:用于基站、无线接入设备等,支持高速数据交换和实时信号处理。 4. 测试与测量仪器:如示波器、逻辑分析仪等,用于高速数据采集和临时存储,确保数据不丢失。 5. 汽车电子:高级驾驶辅助系统(ADAS)、车载信息娱乐系统中,用于实时数据处理和缓存。 该SRAM具备低功耗、高可靠性和工业级温度范围,适用于对性能和稳定性要求较高的嵌入式系统和工业应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54TFBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS42S16800E-75EBL |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 54-TFBGA(8x8) |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SDRAM |
存储容量 | 128M (8M x 16) |
封装/外壳 | 54-TFBGA |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 348 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
速度 | 133MHz |