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- 型号： IRFD311
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD311由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD311价格参考。HarrisIRFD311封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFD311参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD311 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD311 是由 International Rectifier（后被英飞凌收购）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，并非Harris Corporation（哈里斯公司）的产品。Harris Corporation 主要专注于通信、航空电子、国防系统及集成电路（如模拟/混合信号IC、FPGA等），但从未设计或制造IRFD311这类分立功率MOSFET。该器件型号前缀“IRF”明确代表International Rectifier（IR），属其经典DPAK（TO-252）封装系列。 IRFD311典型参数：VDS=100V，ID=2.8A（连续），RDS(on)≈0.35Ω（VGS=10V），开关速度快、驱动简单。其主要应用场景包括： - 中小功率开关电源中的次级侧同步整流或主开关； - DC-DC转换器（如Buck/Boost拓扑）中的功率开关； - 电机驱动电路（如小型直流电机、步进电机的H桥低边开关）； - 电池供电设备的电源管理（如LED驱动、继电器/电磁阀驱动）； - 工业控制板、家电控制模块中的隔离式负载开关。 需特别注意：若在文档或采购信息中将IRFD311误标为“Harris Corporation”，极可能是混淆了品牌（例如因Harris曾代理或集成IR器件于其系统中），或数据源存在错误。选型时请以英飞凌（Infineon）官方资料为准。建议替代型号可考虑Infineon的IRFD120或STMicroelectronics的STD1NK50Z等同封装兼容器件。
产品参数
图文手册
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