Datasheet下载- 型号： IRF7665S2TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7665S2TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7665S2TRPBF价格参考。International RectifierIRF7665S2TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7665S2TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7665S2TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7665S2TRPBF 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 14.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关速度及优良的热稳定性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK/BOOST转换器中，作为主开关或同步整流管，提升转换效率（尤其在12V输入、3.3V/5V/12V输出的通信电源、服务器VRM模块中）； 2. 负载开关与电源管理：适用于主板、笔记本电脑、工业控制板中的板级电源分配（eFuse、热插拔保护、上电时序控制），支持快速开启/关断与过流保护； 3. 电机驱动：用于小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动单元（单通道），适用于打印机、风扇、家用电器等中低功率驱动场景； 4. LED驱动与背光控制：在恒流LED驱动电路中作PWM调光开关，实现高效、低噪声亮度调节； 5. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、电池保护电路中的充放电开关。 该器件具备雪崩耐受能力、符合RoHS标准，并通过AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦适用于汽车电子辅助系统（如车身控制模块）。其SO-8封装兼顾散热性与PCB布局灵活性，适合高密度、中等功率（≤50W）的开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF7665S2TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 515pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 62 毫欧 @ 8.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DIRECTFET SB |
| 其它名称 | IRF7665S2TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等距 SB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Ta）， 14.4A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7665s2trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7665s2trpbf.spi |
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