图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF543由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF543价格参考。HarrisIRF543封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF543参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF543 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF543 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(由英飞凌/IR 原厂设计,现属英飞凌旗下),具有 110V 耐压、22A 连续漏极电流(Tc=25℃)、Rds(on) 典型值约 0.095Ω(Vgs=10V),采用 TO-220 封装。其主要应用场景包括: 1. DC-DC 开关电源:常用于反激式、正激式或BUCK/BOOST转换器的主开关管,驱动中小功率负载(如适配器、LED驱动电源); 2. 电机控制:适用于12V–48V低压直流电机(如风扇、小型泵、电动工具)的H桥或单管驱动电路,具备较快开关速度(td(on)/td(off) 约25ns/60ns)与较低导通损耗; 3. 电子负载与电源开关:在可编程电子负载、电源软启动/通断控制中作为功率通断器件; 4. 逆变与照明驱动:用于低频(<100kHz)逆变器输出级或大功率LED恒流驱动的PWM调光开关; 5. 工业与家电控制:如电磁阀、继电器驱动、加热元件控制等中等功率开关场合。 注意:IRF543 属于逻辑电平兼容性较弱的MOSFET(推荐Vgs≥10V以充分导通),需配合足够驱动能力的栅极驱动电路(如推挽驱动或专用驱动IC),避免因驱动不足导致温升过高或开关损耗增大。不适用于高频(>200kHz)或超低导通电阻要求的场景,同系列中IRF540/IRFZ44N等更常见,IRF543多用于需略高耐压(110V vs IRF540的100V)的替代设计。