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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPP80N04S2-H4
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP80N04S2-H4由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP80N04S2-H4价格参考。InfineonIPP80N04S2-H4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP80N04S2-H4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP80N04S2-H4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPP80N04S2-H4 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO220-3-1封装，具有40V耐压、80A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.0 mΩ），并集成优化体二极管，具备优异的开关性能与抗雪崩能力。 该器件主要适用于中高功率、高效率、高频开关场景，典型应用包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器（如12V/48V双向转换）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的负载开关； ✅ 工业电源：服务器/通信电源的同步整流、UPS逆变器输出级、工业电机驱动H桥的下管； ✅ 消费类与家电：大功率开关电源（SMPS）、电动工具驱动、变频空调压缩机驱动； ✅ 可再生能源：微型逆变器、储能系统（ESS）中的电池保护与充放电开关。 其H4版本特别强化了热性能与可靠性，符合AEC-Q101汽车级认证，支持在高温、高动态负载下稳定运行。低RDS(on)显著降低导通损耗，配合快速开关特性（td(on)/td(off)约20/40 ns），有助于提升系统整体能效与功率密度。需注意合理设计PCB散热焊盘及栅极驱动（推荐10–15 V驱动电压，避免过冲），以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S2-H4_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b79094525 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP80N04S2-H4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 148nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP80N04S2H4AKSA1 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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