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  • 型号: IPP041N04NG
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP041N04NG由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP041N04NG价格参考。InfineonIPP041N04NG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP041N04NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP041N04NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPP041N04NG 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用OptiMOS™ 5技术,具有超低导通电阻(RDS(on)典型值仅4.1 mΩ @ VGS=10 V)、高电流能力(ID达120 A)、快速开关特性及优异热性能(采用TO-220封装)。其主要应用场景包括:

- 服务器与通信电源:用于DC-DC转换器(如POL模块、VRM)、同步整流和主开关管,提升效率与功率密度;  
- 工业电机驱动:适用于中小功率变频器、伺服驱动器中的逆变桥臂开关,支持高频PWM控制;  
- 汽车电子系统:符合AEC-Q101标准(注:IPP041N04NG为工业级,非车规;若需车规应用,应选用同系列车规型号如IPB041N04NG),常用于车载充电机(OBC)辅助电源、电池管理系统(BMS)保护电路等;  
- 消费类高能效电源:如高端PC电源、LED驱动电源、UPS中的高频整流与开关节点;  
- 太阳能逆变器:作为MPPT升压级或隔离型逆变器的低压侧开关,兼顾效率与可靠性。

该器件凭借低开关损耗与导通损耗、强雪崩耐受能力及优化的栅极电荷(Qg≈68 nC),特别适合中压(40 V)、大电流、高频(100 kHz以上)硬开关应用,助力系统实现高能效(如80 PLUS Titanium认证)与紧凑设计。
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