Datasheet下载- 型号： IPI200N25N3GAKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI200N25N3GAKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI200N25N3GAKSA1价格参考。InfineonIPI200N25N3GAKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI200N25N3GAKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI200N25N3GAKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI200N25N3GAKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-262（IPAK）封装，具有200A连续漏极电流、25V耐压、极低导通电阻（典型RDS(on)仅1.4mΩ）及优化的开关特性。其主要应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）中的高电流负载开关与电机驱动，满足AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗干扰能力； - 工业电源：适用于大功率服务器电源、通信电源、UPS及工业变频器中的同步整流、初级/次级侧开关，提升能效与功率密度； - 电机控制：在BLDC无刷直流电机驱动（如风机、泵类设备）中作为相桥臂开关，支持高频PWM调制与快速关断； - 电池供电系统：用于电动工具、储能系统（ESS）和便携式大功率设备的主功率开关，兼顾低损耗与热稳定性。 该器件集成可靠保护设计（如雪崩耐量高），配合优化的栅极电荷（Qg≈120nC），便于驱动并降低开关损耗，适用于高效率、高功率密度及严苛环境下的中低压（≤25V）大电流应用。
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