Datasheet下载- 型号： IPG20N06S3L-35
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPG20N06S3L-35由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPG20N06S3L-35价格参考。InfineonIPG20N06S3L-35封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPG20N06S3L-35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPG20N06S3L-35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPG20N06S3L-35 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道逻辑电平N沟道增强型MOSFET阵列，采用PG-TSDSON-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 35 mΩ @ VGS = 4.5 V）、高电流能力（ID = 20 A）及集成ESD保护与快速体二极管等特性。其典型应用场景包括： 1. 汽车电子系统：广泛用于12V车载电源管理，如车身控制模块（BCM）中的车灯驱动（LED前照灯、尾灯、转向灯）、雨刮电机、座椅调节电机、电子风扇控制等；符合AEC-Q101认证，具备高可靠性与抗干扰能力。 2. 工业与消费类DC-DC电源：适用于同步整流Buck/Boost转换器、负载开关及热插拔电路，尤其适合空间受限、需高效低压驱动（支持3.3V/5V逻辑电平直接驱动）的嵌入式电源设计。 3. 电动工具与家电驱动：在无刷直流（BLDC）电机预驱或H桥半桥驱动中作为功率开关，配合栅极驱动IC实现高效换向控制。 4. 电池供电设备：凭借低阈值电压和低静态功耗，适用于便携式设备的智能电源分配与电池保护电路。 该器件集成双MOSFET结构，节省PCB面积，简化布线，提升系统集成度与EMC性能，是中低功率（≤100W）汽车级和工业级开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPG20N06S3L-35 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 15µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4（5.15x6.15） |
| 其它名称 | SP000396306 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A |
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