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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB80N06S2L-11
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB80N06S2L-11由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB80N06S2L-11价格参考。InfineonIPB80N06S2L-11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB80N06S2L-11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB80N06S2L-11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB80N06S2L-11 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装（D²PAK），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 9.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A）和优化的开关性能，适用于中高功率、高频开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器、电机驱动（如车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制）、LED前照灯驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电开关；该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 ✅ 工业电源与电机控制：开关电源（SMPS）次级同步整流、伺服驱动器/变频器的功率级、PLC输出模块、电动工具与泵类设备的H桥或半桥驱动。 ✅ 消费类与通用电源：大功率适配器、UPS系统、LED照明驱动（尤其需调光与高效率场合）。 其“S2”系列（OptiMOS™ 2）设计兼顾低导通损耗与快速开关特性，配合11V栅极驱动兼容性（逻辑电平可选，但本型号推荐10V驱动），适合在48V以下低压大电流系统中高效运行。内置体二极管具备良好反向恢复特性，利于硬开关应用。 注意：实际使用需合理设计PCB散热（建议大面积铜箔+过孔散热）、栅极驱动电路（避免振荡）及过压/过流保护，以充分发挥其性能与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N06S2L-11_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b4333e375ac6 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB80N06S2L-11 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 93µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2075pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.7 毫欧 @ 60A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB80N06S2L11ATMA1 |
| 功率-最大值 | 158W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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