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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB60R520CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB60R520CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB60R520CP价格参考。InfineonIPB60R520CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB60R520CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB60R520CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB60R520CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、520mΩ（典型值）增强型N沟道CoolMOS™ C7系列高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装。其核心优势在于低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能及高可靠性，适用于中高功率、高效率开关电源场景。 典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于AC-DC PFC（功率因数校正）电路和LLC谐振变换器的主开关管，提升能效并满足80 PLUS Titanium/Platinum标准； ✅ 工业电源与UPS系统：在1–3kW级不间断电源和可编程电源中承担高频硬开关或软开关任务，C7技术显著降低开关损耗与EMI； ✅ 太阳能逆变器：作为组串式逆变器中DC-DC升压级或单相H桥输出级开关器件，支持高开关频率与宽温度范围（-55°C ~ +150°C）； ✅ 电机驱动与APF有源滤波器：在中小功率变频驱动及谐波治理设备中实现快速响应与低热耗。 该器件具备超结（Superjunction）结构、优化的体二极管反向恢复特性（Qrr低），配合驱动设计可有效抑制电压尖峰与振荡，适合高频（65–300 kHz）、高密度、高可靠性要求的应用。需注意合理布局PCB、选用合适栅极电阻及驱动IC（如英飞凌1ED系列）以发挥其最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-263MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.8 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB60R520CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB60R520CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043183a95550118792e20dc045d |
| 产品型号 | IPB60R520CP |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 66 W |
| Pd-功率耗散 | 66 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 520 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB60R520CPDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 74 ns |
| 功率-最大值 | 66W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.8A （Tc） |
| 系列 | IPB60R520 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB60R520CPATMA1 SP000405868 |
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