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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HZM6.8ZMFATL-P-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZM6.8ZMFATL-P-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHZM6.8ZMFATL-P-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZM6.8ZMFATL-P-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZM6.8ZMFATL-P-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HZM6.8ZMFATL-P-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的表面贴装齐纳二极管,标称稳压值为6.8 V(容差±5%),最大功率耗散为200 mW,采用小型SOD-523(SC-79)封装,具有低泄漏电流和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括: 1. 低压电源稳压与基准电压源:在便携式设备(如TWS耳机、智能手环、传感器节点)中为MCU、ADC或参考电路提供稳定6.8 V基准(常配合分压或运放使用); 2. 过压保护与箝位:与TVS或串联限流电阻配合,用于USB接口、I²C/SPI总线等信号线的瞬态电压箝位,防止后级IC因浪涌受损; 3. 电压检测与监控电路:在电池供电系统中作为简易欠压/过压指示元件(如配合比较器实现6.8 V阈值检测); 4. 低成本反馈环路:在微型DC-DC转换器或LDO辅助反馈路径中提供紧凑型稳压节点。 该器件凭借小尺寸、高可靠性及AEC-Q200兼容性(注:需查证具体批次是否通过车规认证,但封装与参数适配车载信息娱乐或车身控制模块的次级电源管理),亦适用于空间受限的工业传感器、IoT终端及消费类电子。注意设计时需确保功耗不超过200 mW,并留足散热余量。