Datasheet下载- 型号： HUF76609D3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76609D3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76609D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76609D3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76609D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76609D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76609D3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.018 Ω @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）和优良的开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于开关电源（SMPS）、同步整流、Buck/Boost转换器中，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机或风扇驱动电路，可承受脉冲负载与反向电动势； - 电源管理与负载开关：在服务器电源、工业PLC、电池供电设备中用作高效电子开关或热插拔保护； - 照明驱动：LED恒流驱动电路中的主开关器件，支持PWM调光； - 逆变器与UPS系统：作为半桥或全桥拓扑中的功率开关元件，适用于低频至中频（≤100 kHz）应用。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），增强了系统鲁棒性；其逻辑电平兼容性（VGS(th) ≈ 2–4 V）便于直接由微控制器或驱动IC控制。需注意合理设计栅极驱动与散热（建议加装散热片），以充分发挥其性能并确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76609D3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 425pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 功率-最大值 | 49W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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