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- 型号： HIP2101IRZ
- 制造商： Intersil
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HIP2101IRZ由Intersil设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HIP2101IRZ价格参考。IntersilHIP2101IRZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HIP2101IRZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HIP2101IRZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HIP2101IRZ 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高速、双通道、低侧MOSFET栅极驱动器，适用于需要高效、紧凑型驱动方案的中高功率开关应用。其典型应用场景包括： - DC-DC转换器：如同步降压（Buck）变换器中，驱动下管（低侧）NMOS，配合控制器实现高效率功率转换； - 电机驱动系统：在BLDC（无刷直流）或步进电机的H桥/半桥驱动电路中，作为低侧驱动单元，提供快速（典型上升/下降时间约15ns）、大峰值电流（±2A）输出，确保MOSFET可靠开关； - 工业电源与LED驱动：用于开关电源次级同步整流控制、高亮度LED恒流驱动的PWM调光驱动级； - 电池管理系统（BMS）与车载辅助电源：在12V/24V车载DC-DC模块或储能系统中的隔离/非隔离拓扑中，驱动低侧开关，支持宽输入电压（8–16V VDD）及-40℃~125℃工作温度范围，具备欠压锁定（UVLO）和热关断保护，提升系统鲁棒性。 该器件采用SOIC-8封装（HIP2101IRZ），集成匹配延迟、抗干扰能力强，常与高端驱动器（如HIP2100）或控制器（如ISL67xx系列）协同使用，构建完整半桥驱动方案。注意：HIP2101IRZ仅支持低侧驱动，不可直接驱动高侧MOSFET，需搭配自举电路或隔离电源用于高侧应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HIP2101IRZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 16-QFN-EP（5x5） |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 25ns |
| 标准包装 | 600 |
| 电压-电源 | 9 V ~ 14 V |
| 电流-峰值 | 2A |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 半桥 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 100V |
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