【未分类_HGTP20N35F3VL】封装/厂家_HGTP20N35F3VL中文资料_价格

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型号： HGTP20N35F3VL
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP20N35F3VL由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP20N35F3VL价格参考。HarrisHGTP20N35F3VL封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP20N35F3VL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP20N35F3VL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTP20N35F3VL 是 Harris Corporation（现已被Exelis收购，后并入L3Harris Technologies）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压350V，连续漏极电流20A，具备低导通电阻（Rds(on)典型值约0.18Ω）、快速开关特性及内置续流二极管，适用于硬开关和高频PWM应用。

其典型应用场景包括：  
- 工业电机驱动：用于中小功率变频器、伺服驱动器中的逆变桥臂，驱动单相/三相交流电机；  
- 开关电源（SMPS）：在AC-DC适配器、通信电源、服务器电源的主功率开关或PFC升压电路中，实现高效率能量转换；  
- 不间断电源（UPS）与逆变器：作为DC-AC逆变级核心开关器件，支持高频、低损耗运行；  
- 照明电子镇流器与LED驱动：用于高频谐振式LED电源或HID灯镇流器的功率级；  
- 电磁加热与感应加热控制模块：在中频（20–100 kHz）谐振电路中承担高频开关任务。

该器件具备良好的雪崩耐量和热稳定性，适合中等功率（约数百瓦至1kW级）、中高频（≤100 kHz）工况。需注意：实际应用中应配合合理栅极驱动（推荐±12–15V驱动电压）、散热设计及过压/过流保护电路，以确保长期可靠性。  

（注：Harris已不独立运营该产品线，当前技术支持与供货主要由L3Harris或授权分销商提供。）

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