【未分类_HGTD7N60B3】封装/厂家_HGTD7N60B3中文资料_价格

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型号： HGTD7N60B3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD7N60B3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD7N60B3价格参考。HarrisHGTD7N60B3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD7N60B3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD7N60B3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD7N60B3 是一款由安森美（onsemi）生产的600V、7A额定电流的高压超结（SuperFET®）MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装。需注意：其分类“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”中，该器件实为增强型N沟道功率MOSFET，并非IGBT。

典型应用场景包括：

- 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等的主开关管，凭借高电压耐受（600V）、低导通电阻（Rds(on) ≈ 1.4Ω）和优异的开关速度，提升转换效率与功率密度。

- PFC电路（有源功率因数校正）：适用于临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）PFC升压级，满足能效标准（如80 PLUS、Energy Star）。

- 工业控制与电机驱动：在中小功率变频器、风机/水泵驱动、伺服电源模块中用作高频斩波开关。

- 家电与新能源设备：如变频空调压缩机驱动、光伏微逆变器DC-DC前级、储能系统中的DC-DC变换器等。

该器件具备良好的雪崩耐受能力、低栅极电荷（Qg≈25nC）及优化的体二极管反向恢复特性，适合高频（数十kHz至百kHz级）硬开关应用。不推荐用于需大电流续流或低频大功率场景（此时IGBT更优）。

（注：“品牌为-”可能指品牌信息缺失，实际制造商为onsemi；型号后缀“B3”代表特定封装与温度等级版本。）

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