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  • 型号: HAT2172N-EL-E
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2172N-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2172N-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2172N-EL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HAT2172N-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HAT2172N-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Renesas Electronics America

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

HAT2172N-EL-E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 10mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2420pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.8 毫欧 @ 15A,10V

供应商器件封装

8-LFPAK-iV

功率-最大值

20W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Ta)

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