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详细数据请看参考数据手册
- 型号： HAT2172N-EL-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2172N-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2172N-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2172N-EL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HAT2172N-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HAT2172N-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT2172N-EL-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装HSOP8封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.0mΩ @ Vgs=10V）、高连续漏极电流（ID=120A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于BLDC（无刷直流）电机控制模块的H桥或半桥功率级，支持高频PWM开关（最高达1MHz），响应快、损耗低； 3. 负载开关与电源管理：在FPGA、ASIC、GPU等高性能数字芯片的供电系统中，作为高效、低噪声的主电源开关或热插拔保护器件； 4. 车载电子辅助系统：满足AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于ADAS摄像头供电、车载照明控制等非安全关键场景。 该器件集成ESD保护和雪崩耐量设计，支持100% UIS（非钳位感性开关）能力，适合高可靠性、高功率密度的应用环境。使用时建议配合优化PCB布局（如加厚铜箔、多过孔散热）及合理栅极驱动（推荐12V驱动以确保充分增强）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HAT2172N-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 10mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2420pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-LFPAK-iV |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta） |
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