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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供H5N2512FN-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 H5N2512FN-E价格参考。RNSH5N2512FN-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载H5N2512FN-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有H5N2512FN-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
H5N2512FN-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用小型表面贴装封装(如HSOP-8),具有低导通电阻(Rds(on)典型值约2.5mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID可达120A)及优化的开关特性。其主要应用场景包括: - 服务器与通信电源:用于DC-DC降压转换器(如POL模块、VRM)的同步整流开关,提升效率与功率密度; - 工业电源与电机驱动:适用于中高频(≤500kHz)开关电源、伺服驱动器的半桥/全桥输出级; - 车载电子系统:满足AEC-Q101可靠性标准(注:需确认该型号具体认证状态),可用于车载OBC辅助电源、LED车灯驱动等非安全关键高压控制回路; - 固态继电器(SSR)与电子保险丝:凭借快速开关与低热阻,实现过流保护与无触点通断控制。 该器件强调高效率、小尺寸与热性能,适合空间受限且对能效要求严苛的应用。实际选型时需结合散热设计、驱动电路匹配及系统EMI要求综合评估。