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- 型号： FW342-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FW342-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FW342-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyFW342-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FW342-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FW342-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FW342-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度及集成ESD保护等特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电源路径管理，支持快速启停和低功耗待机； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中作为同步整流MOSFET，提升转换效率（尤其在1A–3A中等电流场合）； 3. LED背光驱动与RGB调光控制：双通道结构便于独立控制多路LED串，实现PWM调光或动态亮度调节； 4. H桥电机驱动（小功率）：配合外部驱动电路，可构建微型直流电机或振动马达的正反转控制（适用于玩具、便携医疗设备等）； 5. USB Type-C接口保护与切换：用于VBUS开关、CC逻辑检测辅助电路或多路电源选择（Power Multiplexing），满足紧凑布局与热可靠性要求。 该器件工作电压范围为1.8V–5.5V，适合单节锂电（3.0–4.2V）供电系统，且TSOP-6封装利于PCB空间节省与自动化贴装。需注意其栅极阈值电压较低（Vth≈0.5–1.1V），设计时应避免噪声误触发，并建议添加适当栅极下拉电阻。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6/5A 8-SOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FW342-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | 869-1167-6 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A，5A |
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