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  • 型号: FSB749
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FSB749产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FSB749由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FSB749价格参考。Fairchild SemiconductorFSB749封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 25V 3A 100MHz 500mW 表面贴装 SuperSOT-3。您可以下载FSB749参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FSB749 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FSB749 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要包括以下方面:

1. 开关应用:FSB749 可用于各种开关电路中,例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。其开关特性使其适合需要快速开启和关闭的场景。

2. 信号放大:作为一款 BJT 晶体管,FSB749 能够在音频设备和其他电子设备中用作信号放大器。它可以增强微弱信号的强度,适用于音频前置放大器或传感器信号放大的场合。

3. 电源管理:该晶体管可以应用于简单的电源管理电路中,如稳压电路或电流限制电路。它能够帮助调节输出电压或电流以适应负载需求。

4. 通信设备:在一些低频通信设备中,FSB749 可以用作调制解调器的一部分,或者用于信号处理和传输的前端放大。

5. 工业控制:在工业自动化领域,FSB749 可用于控制各种执行器和传感器接口,实现对工业设备的状态监测与操作。

6. 消费电子产品:此型号也可广泛应用于家用电器中的简单控制电路,如风扇速度调节、温度监控等。

需要注意的是,具体应用时应根据 FSB749 的电气参数(如集电极-发射极电压、电流增益、最大功耗等)来选择合适的电路设计,确保其工作在安全范围内。同时,结合实际需求进行散热设计也是非常重要的。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 25V 3A SSOT3两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FSB749-

数据手册

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产品型号

FSB749

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 300mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

3-SSOT

其它名称

FSB749DKR

功率-最大值

500mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

30 mg

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

Super SOT

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

0.5 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

3 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

25V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

300

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

FSB749

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

25 V

集电极—基极电压VCBO

35 V

集电极—射极饱和电压

600 mV

集电极连续电流

3 A

零件号别名

FSB749_NL

频率-跃迁

100MHz

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