Datasheet下载- 型号： BC849BLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC849BLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC849BLT1G价格参考。ON SemiconductorBC849BLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC849BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC849BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC849BLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管 (BJT)，属于小型信号晶体管。它广泛应用于各种低功率电子电路中，以下是一些典型的应用场景： 1. 开关应用 - BC849BLT1G 可用作电子开关，在数字电路中控制其他设备的通断状态。例如，用于驱动 LED、继电器或小型电机。 - 在电源管理电路中，作为负载开关来控制电流流向。 2. 信号放大 - 该晶体管适用于音频信号放大器中的前置级放大，处理微弱信号并将其增强到可检测或进一步处理的水平。 - 在无线通信设备中，可用于射频 (RF) 或中频 (IF) 信号的小幅度放大。 3. 电平转换 - 在不同的逻辑电平之间进行转换时，BC849BLT1G 可以作为一个简单的电平移位器，将低电压信号转换为高电压信号，或者反之。 4. 保护电路 - 在过流保护或短路保护电路中，可以用作检测元件，当电流超过设定值时触发保护机制。 - 配合二极管和电阻设计反向电池保护电路。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 应用中，BC849BLT1G 能够根据输入占空比调节输出电流，常用于亮度调节（如 LED 灯光调光）或速度控制（如小型直流风扇）。 6. 传感器接口 - 结合传感器使用，将来自传感器的微弱电信号放大后传递给后续处理单元，比如温度传感器、压力传感器等。 7. 振荡器与定时电路 - 在多谐振荡器或多级延迟电路中，作为核心组件生成周期性波形或延时功能。 特点总结： - 低饱和电压：适合高效开关操作。 - 高增益：利于小信号放大。 - 紧凑封装（SOT-23）：节省空间，便于便携式产品设计。 总之，BC849BLT1G 凭借其优异性能和小巧尺寸，成为消费类电子产品、工业控制以及汽车电子等领域中不可或缺的基础元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 30V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 30V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC849BLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC849BLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BC849BLT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC849BL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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