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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS40200UW6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS40200UW6T1G价格参考。ON SemiconductorNSS40200UW6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS40200UW6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS40200UW6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NSS40200UW6T1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-363(SC-88)小尺寸封装,具有低饱和电压、高开关速度和低功耗特性。该器件广泛应用于便携式电子设备和高密度电路设计中。 主要应用场景包括:智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关控制;在LED背光驱动电路中用于控制小型LCD屏幕的背光亮度;作为信号开关或电平转换器,在数字逻辑电路中实现低电压控制高电压部分的功能;适用于射频识别(RFID)、无线充电模块和传感器接口等低功耗信号放大与开关场景;也可用于消费类电子产品中的小型继电器驱动或马达控制。 由于其封装小巧、功耗低,特别适合空间受限的便携式设备;同时,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,适合工业级温度范围工作。综上,NSS40200UW6T1G是一款高性能、小体积的通用开关晶体管,适用于各类需要高效、节能和紧凑设计的电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 4A 40V 6-WDFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NSS40200UW6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 20mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 1A,2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=18613 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |
| 其它名称 | NSS40200UW6T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 875mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 140MHz |