Datasheet下载- 型号： KSH31CTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSH31CTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSH31CTF价格参考。Fairchild SemiconductorKSH31CTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSH31CTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSH31CTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSH31CTF是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于高频和中功率应用。其主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：适用于无线通信设备中的信号放大，如基站、无线接入点等； 2. 开关电路：可用于高速开关应用，如电源管理、马达控制等； 3. 音频放大器：在音响系统中作为前置或驱动级放大使用； 4. 工业控制与汽车电子：因其良好的稳定性和耐温性能，适用于汽车电子系统及工业自动化设备中。 该晶体管具有较高的截止频率（fT）和良好的线性特性，适合需要高频率响应和低失真的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSH31CTF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSH31CTF |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.2V @ 375mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 3A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | KSH31CTF-ND |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 系列 | KSH31 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 零件号别名 | KSH31CTF_NL |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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