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- 型号： FQI8P10TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI8P10TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI8P10TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI8P10TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI8P10TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI8P10TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI8P10TU 是安森美（onsemi）推出的P沟道增强型MOSFET，采用TO-220F封装，额定电压-100V，连续漏极电流-7.9A（Tc=25°C），Rds(on)典型值为0.28Ω（Vgs=-10V）。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关及反向电压保护电路，利用其低导通电阻和快速开关特性提升效率。 2. 工业控制：适用于电机驱动（如小型直流电机的H桥高边开关）、PLC输出模块、继电器替代方案，实现可靠通断与过流保护。 3. 汽车电子：满足AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否通过；FQI8P10TU有车规版本FQI8P10TU_F085），可用于车身控制模块（BCM）、LED车灯调光/开关、电源分配单元等中压、中功率场景。 4. 消费类设备：在适配器、UPS、智能电表、电动工具等设备中，承担电源启停、电池反接保护及过压/过流保护功能。 该器件具备雪崩耐量（UIS）能力，增强系统鲁棒性；内置ESD保护，简化外围设计。使用时需注意栅极驱动电压范围（-20V ~ +20V）、避免负Vgs过大导致阈值漂移，并合理布局散热路径（TO-220F为绝缘封装，需配合散热器）。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI8P10TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 530 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
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