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- 型号： FQI5N20LTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI5N20LTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI5N20LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI5N20LTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI5N20LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI5N20LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI5N20LTU 是安森美（onsemi）推出的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-218封装，主要参数包括：耐压200V、连续漏极电流5A（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)约1.4Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关电源：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管或同步整流管； 2. 电机控制电路：用于24–48V直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动中低侧开关； 3. 逆变器与UPS模块：在离线式小功率逆变器中作为DC/AC转换级的功率开关； 4. 工业控制与家电：电磁炉、电焊机辅助电源、智能电表电源管理等对可靠性与成本敏感的中压开关场合； 5. LED照明恒流驱动：配合PWM调光电路实现高效、低噪声的电流调节。 该器件具备良好的热稳定性与雪崩耐受能力（UIS额定值），适合工作在中频（数十kHz至百kHz）开关频率下。TO-218封装利于散热，适用于空间受限但需兼顾散热性能的PCB布局。需注意驱动电压需≥10V以确保充分导通，并建议搭配合适的栅极驱动电阻与TVS保护，提升系统鲁棒性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI5N20LTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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