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- 型号： FQI2N30TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI2N30TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI2N30TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI2N30TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI2N30TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI2N30TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI2N30TU 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-220F（绝缘封装）封装，额定电压300V，连续漏极电流2.4A（Tc=25°C），典型导通电阻Rds(on)约5.5Ω。其高击穿电压与中等电流能力，适用于中功率、高电压开关场景。 典型应用场景包括： 1. 离线式开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的初级侧开关或缓冲/箝位电路； 2. 电机控制：小型直流电机、步进电机的H桥或单端驱动电路（需配合续流二极管及驱动IC）； 3. 工业控制与继电器替代：用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）等中速、中压负载切换； 4. 电容充放电与脉冲电路：如闪光灯、激光驱动、电容储能系统中的高压开关； 5. 家电与白色家电：微波炉磁控管驱动、空调压缩机辅助控制、水泵控制等需耐压300V的场合。 注意：该器件为单个MOSFET，非逻辑电平驱动（Vgs(th)典型值2–4V，但推荐10V驱动以确保充分导通），需匹配合适栅极驱动电路；TO-220F封装具电气绝缘特性，便于直接安装于散热器而无需云母片，适合对隔离有要求的应用。实际使用中应注重散热设计与SOA（安全工作区）限制，避免雪崩或热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI2N30TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 欧姆 @ 1.05A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A （Tc） |
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