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- 型号： FQD2N50TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N50TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N50TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N50TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD2N50TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N50TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2N50TF 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有500V耐压、2A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型Rds(on)为4.5Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与内置体二极管。 其主要应用场景包括： 🔹 离线式开关电源（SMPS）：用于反激式（Flyback）或降压式（Buck）转换器的初级侧开关，适用于AC-DC适配器、LED驱动电源等中小功率（<25W）场合； 🔹 LED照明控制：作为恒流驱动电路中的主开关元件，配合PWM调光实现高效、低EMI的亮度调节； 🔹 电机控制：在小功率直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的H桥低端驱动中，承担高频通断功能（需注意电流与散热匹配）； 🔹 电池管理与保护电路：用于便携设备中过压/过流保护模块的高压侧开关或充电路径控制； 🔹 工业控制与家电：如继电器替代、电磁阀驱动、电风扇调速等中低压、中频（≤100kHz）开关应用。 该器件强调高电压隔离能力与可靠性，适用于需兼顾成本、尺寸与基本高压性能的通用开关场景，但不适用于大电流（>3A）或高频谐振（如LLC）等严苛工况。设计时需注意PCB散热、栅极驱动稳定性及雪崩耐量（FQD2N50TF未标称UIS额定值，建议避免硬开关感性负载）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD2N50TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.3 欧姆 @ 800mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Tc） |
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