Datasheet下载- 型号： FQB5N60TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N60TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N60TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有600V耐压、5A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)为1.2Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与低栅极电荷，适用于高效率、中等功率的开关电源应用。 其典型应用场景包括： • 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC/服务器辅助电源、LED驱动电源中的主开关管； • DC-DC转换器：在工业控制、通信设备中的隔离式或非隔离式降压/反激拓扑中用作功率开关； • 电机控制：适用于小功率无刷直流（BLDC）电机驱动的上桥臂开关或风扇/泵类单相驱动； • 照明电子镇流器与智能LED驱动：支持PWM调光及高功率因数校正（PFC）预调节级； • 家电与工业电源模块：如空调、洗衣机的主控板电源、电磁炉IGBT驱动级的同步整流或辅助开关。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS rated），适合存在电压尖峰的工况；D²PAK封装利于散热，适用于自然冷却或小型散热片设计。需注意合理设计驱动电路（推荐Vgs ≥ 10V以确保充分导通）及PCB布局（减小寄生电感），以发挥其高频（≤100kHz典型）高效优势。不适用于线性放大或极高频（>500kHz）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5N60TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
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