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- 型号： FQB14N15TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB14N15TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB14N15TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB14N15TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB14N15TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB14N15TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB14N15TM 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型功率MOSFET，额定参数为150V VDS、14A ID（连续）、典型RDS(on) ≈ 0.18Ω（VGS=10V），采用TO-263（D²PAK）封装，具备低导通损耗与良好热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源中的主开关管或同步整流管； ✅ DC-DC转换器：用于降压（Buck）、升压（Boost）及反激（Flyback）拓扑的中功率级（数十瓦至百瓦级）； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的H桥驱动、PWM调速模块； ✅ 工业控制与电源管理：如PLC输出模块、继电器替代、电池保护电路（充放电开关）、电子负载等； ✅ 照明系统：大功率LED恒流驱动与调光控制； ✅ 消费电子：打印机、复印机、游戏主机等设备的板载DC/DC供电与负载开关。 该器件具备雪崩耐量（Rugged），支持一定过压/感性负载关断能力；内置体二极管可用于续流，但高频应用建议外置快恢复二极管以优化效率。需注意合理设计栅极驱动（避免振荡）、散热（加装散热片）及PCB布局（降低寄生电感）。 综上，FQB14N15TM适用于中等电压/电流、高可靠性要求的通用功率开关场景，兼顾性能与成本。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB14N15TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 715pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14.4A （Tc） |
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